第305节
对于10亿美金存储芯片订单,世界5大存储芯片制造商,美光公司,三木桑公司,英飞凌公司,东芝公司,日立公司,可谓是馋涎欲滴,非常期望获得大深市芯片产业有限公司的存储芯片巨额订单。
…
所以,当李飞放出签订存储芯片供货协议…,就非常警觉,美光,英飞凌,东芝,日立立即召开会议,
从这消息分析芯片存储的价格,到底有多低?到底大深市芯片产业有限公司与哪一家签订协议….?
…
同时也对消息的真假进行分析,注意到三木桑会长李健正在华夏国,虽然说去三木桑在华夏国广粤省的工厂,但是,又去过大深市,
也就是说,这一则消息,基本确定是真的。那么,大深市芯片产业有限公司公司可能与三木桑公司签订供货协议…
…
这么一刺激,美光,英飞凌,东芝,日立,就立即意识到这是最后一次商谈的机会,拿出最终的价格…,
…
美光公司董事长,英飞凌公司的董事长,纷纷来到华夏国,与大深市芯片产业有限公司商谈,
不过,李飞在存储芯片供应链上,目前是排除了这两家,所以,对美光,英飞凌这两家的芯片存储价格没有很大的兴趣,
也就是说,李飞在与美光公司,英飞凌公司商谈过程里,很冷静,摆出强势的态度,令两家的董事长,战战兢兢…。
…
经过一番讨价还价,美光,英飞凌两家公司最终的报价,在128兆nand存储价格上报价~美金。所以,是远远高于三木桑公司8美金的报价…。
但是,处于商业和技术考量,李飞并没有直接拒绝,而是不动声色地表示:这128兆~报价,是非常吸引力,不过,我还是需要再考量一下,再这一个月内,会给出结果…。
…
当然,公司之间的商业会谈,说简单,就简单,说复杂,就很复杂…。但是,对大深市芯片产业有限公司来说,是非常简单,在保证芯片存储质量的前提之下,价格下调20%,即8美金。谁家存储芯片价格便宜,就有资格成为供应商…
而对芯片制造商来说,是非常复杂,要想成为大深市芯片产业有限公司存储芯片供应商,不光是在价格上,还要与对手竞争…。
…
…
与全球5大存储芯片制造公司周旋的同时,李飞注册浸没式光刻机技术,也发表3篇论文,关于目前光刻机的技术难点,作出具体分析,以及应对解决方案…
随着芯片的技术发展,其芯片的功能越来越多,而芯片集成的晶体管就越来越多,芯片面积的要求,也越来越小,那么,意味着芯片制程就就越来越高,
大深市芯片产业有限公司,作为一家芯片设计公司,是十分关注芯片制程的问题,从1996年,公司研发出500nmfm芯片,再到1999年,研发出手机芯片,就越来意识到芯片制程是非常重要…,
希望目前芯片制程能力,做到65纳米,45nm,甚至是28nm以下…。
…
众所周知,要想提高芯片制程的能力,光刻技术就特别重要了,就需要每年把光刻机的曝光关键尺寸(cd)降低30%-50%。根据公式:a),降低波长λ,提高镜头的数值孔径na,降低综合因素k1。
以目前的光刻机技术,直接降低波长λ,是最直接的办法,为了降低光源的波长,全球光刻机厂商都投入巨资,研发下一代光刻机光源技术,
…
根据目前全球的光刻机技术,其中,尼康投入巨资研发出波长更低的157nmf2准分子激光做为光源,但是,被现有193nm机器用的镜片吸收,造成分辨率等问题,并且,光刻胶也要重新研制,所以改造难度极大,而对193nm的波长进步只有不到25%,研发投入产出之间的比例,是非常之低…
可以说,变动时非常大的。基本从目前193nm光刻技术上推倒重来。
还有就是,由米国组织的euv联盟,而这个联盟是由英特尔,amd,摩托罗拉,asml,英飞凌等企业组成,正在验证了euv光刻机的可行性…。
…
相对以上的两种光刻机技术方案,都不是最优的,特别是euv联盟,所主导的euv光刻机方案,以目前的技术是非常难以实现,并且,是需要巨额的资金,没有一家公司能承受…。
…
那么,以目前的光刻技术193nmarf光源的干法光刻机,作出简单的更改,就能把光源波长降低,
降低光源的波长,可以在镜头与晶圆曝光区域之间的介质从空气换成水,由于水的折射率大约为,那么波长可缩短为=132nm,大大超过攻而不克的157nm,完全可以实现45nm,甚至是28nm以下制程。
其工作原理就是:利用光通过水介质后光源波长缩短来提高分辨率,而浸没式光刻机采用折射和反射相结合的光路设计。这种设计可以减少投影系统光学元件的数目,控制像差和热效应,实现光刻技术…
…
根据以上的数据,浸入式光刻机,可以说属于轻微地改进,能产生巨大的经济效应,其光刻机的产品成熟度是非常高的,
…
…
不过,顺便说一下,由米国组织euvllc联盟,是在2003年,这个euvllc联盟解散,也就是说,这个联盟只是存在了6年。
当时尼康光刻机是没有进入euv联盟,米国认为这是米国的高科技,怎么能分兴给外国企业…。
具体原因还是当时米国半导体,甚至是光刻机svg公司、被曰本公司,尼康公司打得落花流水,所以,担心曰本企业强大,米国拒绝尼康公司加入euv协会…。
…
虽然说,asml加入euv联盟,但是,并没有立即研发出euv光刻机
因为在90年代,asml还是一家小公司,每年的盈利是非常少,而研发euv光刻机,其每年研发的费用高达10亿美金,所以,在90年代,asml根本没有实力研发euv光刻机,
…
而是跟随尼康光刻机的脚步,也从事157nm研发,asml收购米国光刻机svg公司,获取了反射技术,2003年出品了157nm机器…,很显然,在最后,不论技术,还是成本完败于低成本的浸入式193nm。
不过,根据21世纪网络新闻记载,在2002年,台积电公司林本坚,在一次技术研讨会上提出了浸入式193nm的方案,
随后,林本坚带着浸入式193nm的方案,跑遍米国,曰本,德国光刻机公司,说服大厂们采用“浸入式光刻”方案,基本都是被拒绝。因为以上的公司正在研发157nm,那么。现在研发浸入式193nm,就意味着之前的巨量研发都打水漂,
最后,林本坚找到asml,由于当时asml公司在光刻机占有率很少,所以,决定了研发浸入式193nm,
asml在一年的时间内就开发出样机,充分证明了该方案的工程技术和成本,远远优于157nmf2…。
…
就这样,asml正式一步步成为光刻机第一,并且,积累了原始的资金后,asml正式在2007年,启动euv光刻机研发,
在3年后,也就说2010年诞生的第一台euv光刻机的研发用样机:nxe3100。
2012年,asml请英特尔、三星和台积电入股,希望大家共同承担euv光刻机研发工程,因为每年的euv光刻机的研发费用,需要每年10亿欧元。
…
虽然说尼康被迫随后也宣布去做浸入式光刻机,但是,在光刻领域是赢家通吃,这是因为新产品总是需要至少1-3年时间,与芯片制造工厂在技术上之间磨合。
那么,asml比尼康公司,提前2年时间,去改善问题和提高良率,最后导致尼康光刻机从2000年的市场占有率第一,到了2009年市场占有率不到30%,到了2020年,就更不用说了,只有10%,且尼康光刻机产品只是用在低端的芯片工艺制程…。
…
在1999年9月,这3篇论文不到2万字,关于浸入式光刻机,迅速地引起了全球的专家和公司的注意,
其原因就是李飞的身份,是大深市芯片产业有限公司的创始人,世界蓝牙技术协会会长,再加上研发出划时代的mp3,u盘…等产品,
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在尼康公司光刻机部门,正在召开会议,商讨浸入式光刻机技术可行…。
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所以,当李飞放出签订存储芯片供货协议…,就非常警觉,美光,英飞凌,东芝,日立立即召开会议,
从这消息分析芯片存储的价格,到底有多低?到底大深市芯片产业有限公司与哪一家签订协议….?
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同时也对消息的真假进行分析,注意到三木桑会长李健正在华夏国,虽然说去三木桑在华夏国广粤省的工厂,但是,又去过大深市,
也就是说,这一则消息,基本确定是真的。那么,大深市芯片产业有限公司公司可能与三木桑公司签订供货协议…
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这么一刺激,美光,英飞凌,东芝,日立,就立即意识到这是最后一次商谈的机会,拿出最终的价格…,
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美光公司董事长,英飞凌公司的董事长,纷纷来到华夏国,与大深市芯片产业有限公司商谈,
不过,李飞在存储芯片供应链上,目前是排除了这两家,所以,对美光,英飞凌这两家的芯片存储价格没有很大的兴趣,
也就是说,李飞在与美光公司,英飞凌公司商谈过程里,很冷静,摆出强势的态度,令两家的董事长,战战兢兢…。
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经过一番讨价还价,美光,英飞凌两家公司最终的报价,在128兆nand存储价格上报价~美金。所以,是远远高于三木桑公司8美金的报价…。
但是,处于商业和技术考量,李飞并没有直接拒绝,而是不动声色地表示:这128兆~报价,是非常吸引力,不过,我还是需要再考量一下,再这一个月内,会给出结果…。
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当然,公司之间的商业会谈,说简单,就简单,说复杂,就很复杂…。但是,对大深市芯片产业有限公司来说,是非常简单,在保证芯片存储质量的前提之下,价格下调20%,即8美金。谁家存储芯片价格便宜,就有资格成为供应商…
而对芯片制造商来说,是非常复杂,要想成为大深市芯片产业有限公司存储芯片供应商,不光是在价格上,还要与对手竞争…。
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与全球5大存储芯片制造公司周旋的同时,李飞注册浸没式光刻机技术,也发表3篇论文,关于目前光刻机的技术难点,作出具体分析,以及应对解决方案…
随着芯片的技术发展,其芯片的功能越来越多,而芯片集成的晶体管就越来越多,芯片面积的要求,也越来越小,那么,意味着芯片制程就就越来越高,
大深市芯片产业有限公司,作为一家芯片设计公司,是十分关注芯片制程的问题,从1996年,公司研发出500nmfm芯片,再到1999年,研发出手机芯片,就越来意识到芯片制程是非常重要…,
希望目前芯片制程能力,做到65纳米,45nm,甚至是28nm以下…。
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众所周知,要想提高芯片制程的能力,光刻技术就特别重要了,就需要每年把光刻机的曝光关键尺寸(cd)降低30%-50%。根据公式:a),降低波长λ,提高镜头的数值孔径na,降低综合因素k1。
以目前的光刻机技术,直接降低波长λ,是最直接的办法,为了降低光源的波长,全球光刻机厂商都投入巨资,研发下一代光刻机光源技术,
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根据目前全球的光刻机技术,其中,尼康投入巨资研发出波长更低的157nmf2准分子激光做为光源,但是,被现有193nm机器用的镜片吸收,造成分辨率等问题,并且,光刻胶也要重新研制,所以改造难度极大,而对193nm的波长进步只有不到25%,研发投入产出之间的比例,是非常之低…
可以说,变动时非常大的。基本从目前193nm光刻技术上推倒重来。
还有就是,由米国组织的euv联盟,而这个联盟是由英特尔,amd,摩托罗拉,asml,英飞凌等企业组成,正在验证了euv光刻机的可行性…。
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相对以上的两种光刻机技术方案,都不是最优的,特别是euv联盟,所主导的euv光刻机方案,以目前的技术是非常难以实现,并且,是需要巨额的资金,没有一家公司能承受…。
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那么,以目前的光刻技术193nmarf光源的干法光刻机,作出简单的更改,就能把光源波长降低,
降低光源的波长,可以在镜头与晶圆曝光区域之间的介质从空气换成水,由于水的折射率大约为,那么波长可缩短为=132nm,大大超过攻而不克的157nm,完全可以实现45nm,甚至是28nm以下制程。
其工作原理就是:利用光通过水介质后光源波长缩短来提高分辨率,而浸没式光刻机采用折射和反射相结合的光路设计。这种设计可以减少投影系统光学元件的数目,控制像差和热效应,实现光刻技术…
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根据以上的数据,浸入式光刻机,可以说属于轻微地改进,能产生巨大的经济效应,其光刻机的产品成熟度是非常高的,
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不过,顺便说一下,由米国组织euvllc联盟,是在2003年,这个euvllc联盟解散,也就是说,这个联盟只是存在了6年。
当时尼康光刻机是没有进入euv联盟,米国认为这是米国的高科技,怎么能分兴给外国企业…。
具体原因还是当时米国半导体,甚至是光刻机svg公司、被曰本公司,尼康公司打得落花流水,所以,担心曰本企业强大,米国拒绝尼康公司加入euv协会…。
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虽然说,asml加入euv联盟,但是,并没有立即研发出euv光刻机
因为在90年代,asml还是一家小公司,每年的盈利是非常少,而研发euv光刻机,其每年研发的费用高达10亿美金,所以,在90年代,asml根本没有实力研发euv光刻机,
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而是跟随尼康光刻机的脚步,也从事157nm研发,asml收购米国光刻机svg公司,获取了反射技术,2003年出品了157nm机器…,很显然,在最后,不论技术,还是成本完败于低成本的浸入式193nm。
不过,根据21世纪网络新闻记载,在2002年,台积电公司林本坚,在一次技术研讨会上提出了浸入式193nm的方案,
随后,林本坚带着浸入式193nm的方案,跑遍米国,曰本,德国光刻机公司,说服大厂们采用“浸入式光刻”方案,基本都是被拒绝。因为以上的公司正在研发157nm,那么。现在研发浸入式193nm,就意味着之前的巨量研发都打水漂,
最后,林本坚找到asml,由于当时asml公司在光刻机占有率很少,所以,决定了研发浸入式193nm,
asml在一年的时间内就开发出样机,充分证明了该方案的工程技术和成本,远远优于157nmf2…。
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就这样,asml正式一步步成为光刻机第一,并且,积累了原始的资金后,asml正式在2007年,启动euv光刻机研发,
在3年后,也就说2010年诞生的第一台euv光刻机的研发用样机:nxe3100。
2012年,asml请英特尔、三星和台积电入股,希望大家共同承担euv光刻机研发工程,因为每年的euv光刻机的研发费用,需要每年10亿欧元。
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虽然说尼康被迫随后也宣布去做浸入式光刻机,但是,在光刻领域是赢家通吃,这是因为新产品总是需要至少1-3年时间,与芯片制造工厂在技术上之间磨合。
那么,asml比尼康公司,提前2年时间,去改善问题和提高良率,最后导致尼康光刻机从2000年的市场占有率第一,到了2009年市场占有率不到30%,到了2020年,就更不用说了,只有10%,且尼康光刻机产品只是用在低端的芯片工艺制程…。
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在1999年9月,这3篇论文不到2万字,关于浸入式光刻机,迅速地引起了全球的专家和公司的注意,
其原因就是李飞的身份,是大深市芯片产业有限公司的创始人,世界蓝牙技术协会会长,再加上研发出划时代的mp3,u盘…等产品,
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